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橢偏儀SOPRALAB/KLA 在半導(dǎo)體工藝上的應(yīng)用

更新時(shí)間:2020-12-28點(diǎn)擊次數(shù):1988

公司提供匈牙利Semilab公司SE-2000型、SE-1000光譜型橢偏儀(原法國(guó)Sopra公司GES5-E)。WT-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子壽命測(cè)試儀、DLS-83D深能級(jí)瞬態(tài)譜儀。

SE-2000光譜橢偏儀(原法國(guó)Sopra公司)是的橢偏儀設(shè)備供應(yīng)商,其高精度橢偏儀在半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體(GaAs/SiC)、LCD和MEMS領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用。目前有超過(guò)500臺(tái)的Sopra橢偏儀應(yīng)用在各個(gè)行業(yè)。

主要特點(diǎn):

  1. 高精度的薄膜測(cè)量(膜厚、n值、K值)
  2. 家寬光譜型橢偏儀(光譜范圍從深紫外的193nm至遠(yuǎn)紅外的25微米)
  3. VLSI行業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)均使用SOPRA的設(shè)備進(jìn)行標(biāo)定
  4. 較強(qiáng)的可擴(kuò)展性
  5. 微光斑:小可達(dá)60微米

 

SE-2000型橢偏儀

SE-2000是一款的模塊化光學(xué)測(cè)試平臺(tái),是一款具有可旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償?shù)墓庾V型橢偏儀。它是一種非接觸式和非破壞性的光學(xué)測(cè)試方法,可以測(cè)試基底上的單層膜和多層膜,從而獲得薄膜的厚度和光學(xué)特性。該系統(tǒng)具有強(qiáng)大的模塊和多功能設(shè)計(jì),可以滿足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的應(yīng)用的需求,如偏振測(cè)量、散射測(cè)量和利用米勒矩陣的橢圓偏振測(cè)量技術(shù)。它有一個(gè)特別的獨(dú)立的可選擇角度的臂,和小的光點(diǎn)尺寸。SE-2000型橢便儀具有目前市場(chǎng)上寬的光譜范圍,選擇了選件FTIR橢便儀測(cè)試頭,在同一個(gè)可見(jiàn)光測(cè)試臂上實(shí)現(xiàn)光譜范圍從深紫外(193nm)到中紅外的25μm。

它可以使用光譜儀和探測(cè)器陣列進(jìn)行快速檢測(cè),也可以使用分光計(jì)和單點(diǎn)探測(cè)器進(jìn)行高分辨率的檢測(cè),也可以再同一工具上同時(shí)使用兩種模式

SE-2000橢便儀包括Semilab的智能電子產(chǎn)品,可互換部件,并能使用新一代的操作和分析軟件(SAM/SEA)進(jìn)行操作和分析。該系統(tǒng)可以使用計(jì)算機(jī)或者筆記本電腦通過(guò)局域網(wǎng)或新的觸摸屏界面來(lái)控制。

SE-2000型橢便儀可以和Semilab其他測(cè)量?jī)x器結(jié)合使用,比如4PP方塊電阻測(cè)量、渦流測(cè)量、μ-PCR、拉曼測(cè)量、光致發(fā)光測(cè)量等。

 

應(yīng)用:

1)光電子

LED, 光電子產(chǎn)品: AlGaN, GaN, InP等材料測(cè)試.

光學(xué)反射膜,增透膜, III-V電子器件(EEL, VCSEL, ECL)

MEMS

Sol-Gel/多孔膜

2)太陽(yáng)能電池應(yīng)用:

薄膜和硅太陽(yáng)能電池、納米結(jié)構(gòu)電池等

透明導(dǎo)電氧化物、納米點(diǎn)、納米線、碳納米管CNT等

3)有機(jī)物:

OLED, OPV, 傳感器, OTFT

4)半導(dǎo)體:

高k材料、柵氧化層、氮化硅、低K材料等

互聯(lián)線、光刻膠等

外延層: SOI, SiGe, Strained Si, SiC, Poly

5)平面顯示:

TFT-LCD, LTPS, IGZO, OLED, 電致變色膜

6)其他應(yīng)用:

鐵電材料 (BST, SBT, PZT)

燃料電池SOFC, 多孔電極

石墨烯

3D材料、周期性結(jié)構(gòu)材料

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